- 产品编号：MK-001212006055
- 产品名称：高温N沟道电源场效应晶体管
- 产品型号：HTANFET
- 产品铭牌：美国HONEYWELL
- 所属类别：安规测试仪
- 生产产地：美国
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HTANFET是一种可靠性极强的N通道电源场效应晶体管(FET)，专门为在极其广泛的温度范围用途而设计的，例如诸如井下使用仪器、航空电子设备、涡轮发动机和工业控
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| 产品介绍 |
HTANFET是一种可靠性极强的N通道电源场效应晶体管(FET)，专门为在极其广泛的温度范围用途而设计的，例如诸如井下使用仪器、航空电子设备、涡轮发动机和工业控制。该电源FET是用绝缘层上覆硅工艺生产的，在高温时大大降低了漏电。
直流大电流能力和低Rds-ON是这一部件适合用在直流电和开关用途。如果零件在高达+300℃的温度下工作一年，其性能会下降。所有的零件都经过250℃老化, 以防止生产次品。此外每个零件都在-55到+225℃的温度范围内性能可靠。HTANFET是AlliedSignal公司和霍尼韦尔公司共同推出的。
应用
• 井下油井, 气体和地热井
• 航空宇宙和航空电子设备
• 涡轮发动机控制
• 工业过程控制
• 核反应堆
• 电力转换
• 重型内燃机
产品特点
• 额定温度：-55癈至+225癈
• 持续输出电流可达1Amp
• 典型输入电压可达90V
• 绝缘层上覆硅(SOI)
• 4引脚电源带式封装或
• 带整体散热器的8引脚陶瓷Dip |
| 规格与参数 |
电气特性-55°C至+225°C,除非有另外规格
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符号 |
参数 |
测试条件 |
典型(1) |
最糟情况 |
单位 |
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最小 |
最大 |
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V(BR)DSS |
漏极-源极击穿电压 |
VGS = 0, ID = 100μADC |
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90
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V |
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RDS(on) |
静态漏极到源极导通电阻, Ta = 25℃ |
VGS = +5VDC, ID = 0.1A |
0.4 |
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Ù |
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VGS(th) |
栅极阈值电压Ta = 25℃ |
VGS = VDC, ID = 100μA |
1.6 |
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2.4 |
V |
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IGSS |
栅极到漏极正向泄漏 |
VGS = +5VDC |
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100 |
nA |
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栅极到漏极反向泄漏 |
VGS = -5VDC |
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-100 |
nA |
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